Apple预计将在iPhone 7到32GB上双基础存储
iPhone 6和6S“入门级模型的最大批评之一是它们”在RAM和ROM曲线后面，只有1GB内存和16GB的NAND闪存。许多竞争对手智能手机提供的两倍或更多。
自2012年iPhone 5首次亮相以来，Apple已选择将其基本模型内存能力保持不变。
然而，根据一个IHS分析师的IHS分析师，即将描述Apple计划在下一个iPhone释放上翻倍RAM和ROM，预计将于9月份推出作为iPhone 7的IHS分析师。
分析公司IHS技术市场研究总监Kevin Wang，张贴在中国网站微博上，“供应链研究表明，新的iPhone”的RAM是2GB，ROM 32GB。“
虽然Apple独自离开了iPhone 6和6S基础型号，但它在下一个最高型号上的双NAND闪存从32GB到64GB。
本月早些时候，一个单独的网站泄露了指称的iPhone 7组件的照片，这些组件似乎希望苹果公司将达到智能手机的基础内存。该泄漏显示到iPhone 7的几个密钥升级，包括具有16GB，64GB和256GB存储容量的三个Sandisk NAND闪存固态驱动器，其中指示苹果计划在维持三个iPhone模型寿命范围内的基础容量时增加了上层存储容量。
相比之下，竞争一年前发布的竞争智能手机，如Galaxy S6，带有基部3GB的RAM和32GB NAND闪存存储。
据营销研究公司Dramexchange表示，NAND Flash和DRAM价格在过去两年中急剧下降，这是一个Trendforce的宣言。
由于三级电池（每电池3位）NAND闪光密度的密度显着上升，与3D NAND组合，它像微观摩天大楼一样堆叠NAND闪存，允许制造商急剧降低生产成本。
根据DrameXchange的说法，销售给设备制造商的NAND Flash芯片的价格在2016年第一季度下降了10％。
根据Sean Yang，Iphone 6和6S系列和Iphone 6 / 6s Plus - 64GB和128GB的两个主要存储选项和Iphone 6 / 6S Plus - 64GB和128GB占iPhone线的累计出货量超过60％，根据Sean Yang，研究总监Dramexchange。
因此，iPhone作为融资产品占2015年整体NAND消费量的最大份额为15％，2014年的12％。
杨证实的报道，苹果预计将把下一个iPhone的最大存储能力提高到256GB，因此第一波相关的高兴需求可能会给NAND闪存市场带来巨大的提升。
