Micron旨在将智能手机储存更多，3D NAND Flash
2021-07-17 10:44:06 [来源]：
Micron宣布其用于移动设备的第一件3D NAND芯片，其目标是将更多存储器填充到手机中，也许可以减少对SD卡插槽的依赖。
3D NAND提供比其他技术在同一尺寸芯片中的容量。Micron的3D芯片具有32GB的容量，可在中档和高端手机上定位。它基于新的UFS 2.1标准，尚未在智能手机中的快速存储协议。
Micron认为智能手机的内部存储容量需要成长，特别是具有虚拟现实和流媒体视频等新应用。低端智能手机具有4GB的存储，而iPhone 6S可达128GB。
Micron的移动业务部门副总裁Gino Skulick表示，Micron的目标是进入其3D NAND移动芯片的3D NAND移动芯片。
几年来，智能手机的内部存储容量可能与今天的电脑一样大，但Micron表示，可能高达2020年的1TB。但该公司没有提供储存容量的路线图，它将提供其3D移动闪存芯片。
3D NAND Chips已经在英特尔等公司的SSD中，他们提供的密度只是在增长。Micron已表示它可以在牙龈大小的SSD中达到3.5TB。
闪光芯片垂直包装存储单元，如摩天大楼中的楼层，允许芯片之间的容量更高，较快的通信。电流2D NAND芯片具有彼此相邻的存储单元。
Micron的顶级竞争对手是三星，它使手机中使用的3D闪存芯片如此，如Galaxy S7和注释7。这些手机最多可容纳64GB的容量，之后用户可以使用SD卡扩展存储容量。三星也一直在使用3D闪存来提高企业SSD的存储容量。3月份，它将SSD发布了一个笨拙的仓储。
Micron的32GB 3D Flash芯片将在明年下半年运送到设备制造商。筹码在加利福尼亚州圣克拉拉举行的闪存峰会上宣布。
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